en
Исследовательский ядерный реактор ИРТ-Т

Лаборатория №33

История лаборатории

Лаборатория была создана в 1985 году на исследовательском ядерном реакторе ИРТ-Т мощностью 6 МВт в соответствии с заданиями по научно-технической проблеме 0.9.11 и по целевой научно-технической программе О.Ц.023, а также в соответствии с Постановлением ЦК КПСС и Совмина СССР № 412 от 30.04.1981 г. и Распоряжением Совмина СССР № 174-рс от 29.01.1982 г. Целью создания лаборатории было удовлетворение нужд народного хозяйства, включая потребности ВПК, в нейтронно-трансмутационно легированном кремнии с мировым уровнем качества, что позволило СССР быть независимым от стран Запада при производстве важнейших современных электронных приборов.

С 1985 года по 1991 год нейтронно-трансмутационно легированный кремний выпускался для электротехнической промышленности СССР с годовым объемом до 2,5 тонн на номиналы от 10 ом∙см до 250 ом∙см диаметром до 105 мм. С 1991 по 1998 года осуществлялось легирование для фирмы «Wacker» на номиналы от 40 ом∙см до 100 ом∙см, а также легировали кремний для фирмы «Topsil» (Дания). С 2004 года и по настоящее время – для трех фирм Китая: GT Semiconductor Materials Co., Ltd; Tianjin Huan-Ou Semiconductor Material Technology Co., Ltd; EMEI Semiconductor Material Factory. По заказам фирм России объем легирования был незначительным, 200-300 кг в год. При этом исходный кремний был зарубежного происхождения. Технология нейтронно-трансмутационного легирования на исследовательском ядерном реакторе ИРТ-Т позволяет проводить легирование слитков кремния диаметром до 127 мм на мировом уровне качества: неоднородность удельного электрического сопротивления по диаметру слитка кремния – 3-5%, отклонение конечного удельного электрического сопротивления от заданного номинала – не хуже 7%.

В 2010 г. вошла в состав Физико-технического института.

В последние годы в мире наблюдается тенденция к производству все более высокоомного нейтронно-трансмутационно легированного кремния. Например, Китаю необходим кремний с удельным электрическим сопротивлением до 500 ом∙см. Такой кремний может быть использован как в силовой электронике (чем больше сопротивление, тем выше коммутируемое напряжение), так и, возможно, для создания солнечных батарей с высоким коэффициентом полезного действия, которое может превосходить коэффициент полезного действия солнечных батарей из аморфного кремния в 3-4 раза. Кроме того, нейтронно-трансмутационно легированный кремний превосходит аморфный по долговечности. Что касается высокоомного кремния (свыше 10 ком∙см) для фотоприемников, то существуют лишь самые первые с момента создания технологии нейтронно-трансмутационого легирования (70-е годы) публикации о возможности их производства путем перекомпенсации исходного кремния р-типа в нейтронно-трансмутационно легированный кремний n-типа.

Научными направлениями лаборатории являются исследование воздействия нейтронного и гамма- излучения на конденсированные среды. Изучение спектральных характеристик нейтронных полей в исследовательском ядерном реакторе (ИЯР) и их формирование для оптимизации условий облучения при создании радиационных технологий. Это позволяет более качественно использовать ИЯР для решения прикладных и фундаментальных задач. Благодаря проведенным исследованиям на реакторе были созданы каналы для нейтронно-трансмутационного легирования кремния, проведена оптимизация зоны облучения для установки генерирования молибдена-99, использующегося в ядерной медицине, разработаны физические основы детекторов быстрых и тепловых нейтронов на основе монокристаллического кремния.

Направления и специальности

Радиационная физика
Изучение процессов воздействия гамма и нейтронного излучения на конденсированные среды
Исследование спектральных характеристик нейтронных полей исследовательских ядерных реакторов (ИЯР)

Научная деятельность

Ведутся:

  • Работы по изучению нейтронных и гамма полей ИЯР.
  • Работы по созданию детекторов нейтронов, основанных на изменении электрофизических параметров полупроводников.
  • Фундаментальные исследования реакций взаимодействия продуктов деления урана-235 с ядрами.
  • Работы по радиационной физике твердого тела.
  • Работы по изучению взаимодействия нейтронов с кристаллическими средами.
  • Исследование и разработка радиационных технологий модификации кристаллических веществ под действием нейтронного и гамма излучения. 

Лаборатория в этом направлении сотрудничает с несколькими фирмами:

  • GT Semiconductor Materials Co., Ltd; Китай.
  • Tianjin Huan'Ou Semiconductor Material and Technology Co., Ltd; Китай.
  • CEIEC TIANJIN INTERNATIONAL TRADING CO., LTD; Китай
  • НИУ Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск.
  • Научно-исследовательский институт приборов, г. Лыткарино.
  • Global Silicon S.A. Швейцария

Лабораторная база

Канал ГЭК-4

Канал ГЭК-4

Назначение: предназначен для легирования кремния в контейнерах диаметром до 150 мм и длиной до 750 мм. ГЭК-4 совместно с ГЭК-3, ГЭК-5 окружен блоком защиты, позволяющим проводить работы в физзале ИРТ при открытых шиберах на работающем реакторе. Внутри защиты установлены устройства подачи контейнеров в ГЭК-4, загрузки и выгрузки контейнеров, подачи контейнеров в хранилище облученного кремния (ХОК).

 Характеристики:

  • амплитуда перемещения, мм - 1800 мм
  • скорость движения облучателя - 300 мм/мин
  • скорость вращения контейнеров - 3 об/мин
  • время подачи контейнера из ХОК - 5 мин
  • время подачи контейнера на облучатель - 6 мин
  • время хода штанги за шибер - 1 мин (из реактора)
Ответственный
Комплекс ядерного легирования кремния

Комплекс ядерного легирования кремния

Назначение: предназначен для обработки потоком «тепловых» нейтронов различных материалов внутри активной зоны реактора. В основном комплекс используется для обработки монокристаллического кремния.

Комплекс представляет собой устройство, имеющее своей целью максимально обезопасить участие человека в технологическом процессе, обеспечив при этом необходимые технические параметры обработки материалов. Комплекс это сложное электронно-механическое устройство, работающее в условиях ионизирующего излучения и с материалами, подвергшимися радиоактивному облучению, которые могут представлять опасность для здоровья человека, а также влиять на работу некоторых устройств, чувствительных к воздействию ионизирующих излучений.

Ответственный

Контакты

Месторасположение: 

634058,г. Томск, Кузовлевский тракт, 48, Лаборатория №33 ФТИ НИ ТПУ 

Для корреспонденции: 

634050, г. Томск, пр. Ленина, 2а, ТПУ, Физико-технический институт, Лаборатория №33 

Заведующий лабораторией

Варлачев Валерий Александрович

Почта varlachev@tpu.ru
Адрес Здание реактора, офис 202
Личная страница